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低功耗,高能效——三菱電機(jī)發(fā)售“超小型 全SiC DIPIPM”
更新時(shí)間:2016-9-19 9:15:21 編輯:雁楓 文章來(lái)源:中國(guó)視聽(tīng)網(wǎng) 調(diào)整文字大小:【

近年來(lái),人們的節(jié)能環(huán)保意識(shí)不斷提高,更高性能的節(jié)能空調(diào)產(chǎn)品被市場(chǎng)賦予更多期待。

雖然早在1997年,三菱電機(jī)就將內(nèi)置功率開(kāi)關(guān)元件及其驅(qū)動(dòng)、保護(hù)功能的IC的壓注模封裝結(jié)構(gòu)的智能功率半導(dǎo)體模塊“DIPIPMTM”產(chǎn)品系列推向市場(chǎng),并被廣泛用于空調(diào)、洗衣機(jī)等白色家電和工業(yè)電機(jī)的逆變器上,助力設(shè)備的小型化和節(jié)能化。

但為了迎合市場(chǎng)對(duì)于節(jié)能性產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的高要求,此次817日發(fā)售的新壓注模封裝超小型DIPIPMTM產(chǎn)品,與以往產(chǎn)品相比※4電力損失大約降低70%,并搭載三菱電機(jī)最新開(kāi)發(fā)的SiC1 -MOSFET2 ,通過(guò)實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低功耗性能,為高節(jié)能性空調(diào)提高全年能源消耗效率做出貢獻(xiàn)。另外,本次產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)部分還得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

超小型 SiC DIPIPMTM

1  Silicon Carbide:碳化硅

2  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

3  Dual-In-Line Package Intelligent Power Module:雙列直插型智能功率模塊

新產(chǎn)品特點(diǎn)

1、通過(guò)搭載SiC-MOSFET,實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低功耗性能

搭載新開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET,與以往產(chǎn)品※4 相比電力損失大約降低70

實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)5的低功耗性能,為提高空調(diào)的全年能源消耗效率做出貢獻(xiàn)

4  超小型DIPIPMTM Ver.6系列(硅材料產(chǎn)品) PSS15S92F6(15A600V)

5  本公司調(diào)研數(shù)據(jù)截至2016817

2、確保與以往產(chǎn)品間的兼容性,有助于逆變器系統(tǒng)設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)約化

外形尺寸、引腳配置等與本公司超小型封裝6 產(chǎn)品系列兼容

通過(guò)絕緣膜生成工藝的合理化,實(shí)現(xiàn)了高閾值電壓與低通態(tài)阻抗的并存,減少柵負(fù)偏壓電路7

通過(guò)內(nèi)置帶限流電阻的BSD8 ,減少外部元件數(shù)量

6  “超小型DIPIPMTMPSSxxS92x6等系列的超小型封裝產(chǎn)品

7  對(duì)于SiC-MOSFET,通常如果提高開(kāi)通電壓和關(guān)斷電壓之間的閾值電壓,則通態(tài)阻抗也會(huì)升高,導(dǎo)致電力損失增加。為了降低通態(tài)阻抗,需要柵負(fù)偏壓電路

8  Boot-Strap Diode:是用于從基準(zhǔn)電壓生成其它電壓的自舉電路的高耐壓二極管

 

新產(chǎn)品發(fā)售概要

新產(chǎn)品規(guī)格

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