隨著微間距市場(chǎng)的持續(xù)升溫,4K、8K高清逐漸成為大屏顯示的新標(biāo)準(zhǔn),市場(chǎng)對(duì)高密度高清顯示的需求越發(fā)提升,LED封裝也迎來(lái)的百花齊放百家爭(zhēng)鳴的新格局,SMD、IMD、COB、COG誰(shuí)又能在微間距顯示前進(jìn)道路上取得市場(chǎng)的認(rèn)可?這些封裝技術(shù)各有千秋,但微間距的時(shí)代已然來(lái)臨。COB作為微間距時(shí)代的先頭兵,已經(jīng)得到了市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可,隨著今年P(guān)0.9市場(chǎng)的顯著增長(zhǎng),COB已經(jīng)成為了室內(nèi)高清顯示的主角,在可見(jiàn)的未來(lái),隨著間距向更小間距下探,COB將是市場(chǎng)的主要產(chǎn)品迭代方向。
隨著COB技術(shù)的不斷前行,在今年的微間距顯示舞臺(tái)上,共陰、倒裝、巨量轉(zhuǎn)移等名詞多次成為新聞焦點(diǎn),那這些技術(shù)都是什么?是如何決定了COB技術(shù)微間距未來(lái)的走向?Voury卓華今天就為大家簡(jiǎn)析一下。
共陰技術(shù)—節(jié)能,高密度也能低功耗
常規(guī)的LED顯示屏采用共陽(yáng)(正極)供電方式,電流從PCB板流向燈珠,采用共陽(yáng)燈珠和相應(yīng)驅(qū)動(dòng)IC、RGB燈珠統(tǒng)一供電!肮碴帯敝傅氖枪碴(負(fù)極)供電方式,采用共陰燈珠和特制共陰驅(qū)動(dòng)IC方案,R、GB分開(kāi)供電,電流經(jīng)過(guò)燈珠再到IC負(fù)極。采用共陰以后,我們可根據(jù)二極管對(duì)電壓的不同要求直接供給不同的電壓,從而無(wú)需在配置分壓電阻,減少這部分能耗,而顯示亮度和顯示效果卻不受影響,節(jié)能提高25%~40%。
共陰和共陽(yáng)的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)有何不同?
首先是驅(qū)動(dòng)方式不同,共陰驅(qū)動(dòng)是電流先經(jīng)過(guò)燈珠,再到IC負(fù)極,使得正向壓降變小,導(dǎo)通內(nèi)阻也變小。共陽(yáng)驅(qū)動(dòng)是電流從PCB板流向燈珠,給芯片統(tǒng)一供電,電路正向壓降變大。
其次是供電電壓不同,共陰驅(qū)動(dòng),紅色芯片電壓在2.8V左右,藍(lán)、綠色芯片電壓在3.8V左右,這樣的供電就可以達(dá)到準(zhǔn)確供電且電量耗損少,LED顯示屏在工作中產(chǎn)生的熱量也就相對(duì)較低。共陽(yáng)驅(qū)動(dòng),在電流不變的情況下,電壓越高,功率也就越高,電量耗損相對(duì)比就越大,同時(shí),紅色芯片由于需要的電壓比藍(lán)、綠色芯片低,所以需要增加電阻分壓,LED顯示屏在工作中也會(huì)帶來(lái)較多的熱量。
共陰驅(qū)動(dòng)架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)有哪些?
共陰驅(qū)動(dòng)架構(gòu)節(jié)能效率更高,共陰驅(qū)動(dòng)架構(gòu)采用準(zhǔn)確電壓控制,根據(jù)紅、綠、藍(lán)三基色芯片不同的光電特性,為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)電路準(zhǔn)確分配不同的電壓,使產(chǎn)品功耗降低25%~40%。
共陰驅(qū)動(dòng)架構(gòu)色彩更加真實(shí),由于共陰驅(qū)動(dòng)控制電壓,在降低功耗的同時(shí),更大大降低了發(fā)熱量,連續(xù)工作下波長(zhǎng)無(wú)漂移,保證了顯示色彩的真實(shí)。
共陰驅(qū)動(dòng)架構(gòu)屏體壽命更長(zhǎng)久,能耗降低,從而大幅度的降低了系統(tǒng)的溫升,屏體結(jié)構(gòu)金屬部分溫升不超過(guò)45K,絕緣材料溫升不超過(guò)70K,有效的降低了LED受損概率,再配合COB封裝的整體保護(hù)性,提高整個(gè)顯示系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,更有效的延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命,使得顯示屏壽命超過(guò)10萬(wàn)小時(shí)。
隨著節(jié)能減排上升到國(guó)家戰(zhàn)略層面,節(jié)能顯示在這個(gè)時(shí)代也有較高的呼聲,共陰驅(qū)動(dòng)技術(shù)的出現(xiàn)又無(wú)可厚非的成為了這個(gè)行業(yè)追逐的支撐點(diǎn)。但是要實(shí)現(xiàn)更大意義上的推廣和應(yīng)用,還有很長(zhǎng)的路要走,這需要整個(gè)行業(yè)的共同努力。作為節(jié)能化發(fā)展趨勢(shì)的共陰LED顯示屏,涉及到電量的使用和運(yùn)營(yíng)成本,因此節(jié)能關(guān)系到LED顯示屏運(yùn)營(yíng)商的利益,也關(guān)系到國(guó)家能源的使用,會(huì)越來(lái)越多的受到市場(chǎng)的推崇。
倒裝技術(shù)—微間距發(fā)展的進(jìn)階石
COB技術(shù)本身的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為市場(chǎng)的焦點(diǎn),而倒裝COB又將COB技術(shù)提升了一個(gè)新高度,COB本身是一種多燈珠集成化無(wú)支架封裝技術(shù),直接將發(fā)光芯片封裝在PCB板上,省卻了繁瑣的表貼工藝,沒(méi)有了支架的焊接腳,每一個(gè)像素的 LED芯片和焊接導(dǎo)線都被環(huán)氧樹(shù)脂膠體緊密?chē)?yán)實(shí)地包封在膠體內(nèi),沒(méi)有任何裸露在外的元素,為L(zhǎng)ED芯片提供了保護(hù),可以解決外界因素對(duì)像素點(diǎn)造成損害的問(wèn)題,倒裝COB可以大幅度提升電流密度,提升燈珠的穩(wěn)定和光效,倒裝結(jié)構(gòu)能夠很好的滿足這樣的需求,在正裝COB微間距、高可靠性、面光源實(shí)現(xiàn)不刺眼的優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升可靠性,簡(jiǎn)化生產(chǎn)工序、顯示效果更佳,可以實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)間距,達(dá)到Micro LED的水平。
倒裝COB帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)?
倒裝COB跨過(guò)了封裝工藝的局限,使得間距更小,Voury卓華已經(jīng)推出0.6mm間距的產(chǎn)品,滿足高清8K顯示的需求,F(xiàn)今主要應(yīng)用在各類(lèi)指揮中心、數(shù)據(jù)中心、演播中心、會(huì)議中心、商業(yè)中心、家庭影院等等。未來(lái),隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新一代技術(shù)的進(jìn)步以及國(guó)家信息化建設(shè)和城市信息化改造步伐的加快,將推動(dòng)商用顯示市場(chǎng)空間不斷發(fā)展,在教育、零售、交通、金融、醫(yī)療、文娛傳媒以及安防領(lǐng)域等領(lǐng)域,市場(chǎng)前景十分光明。未來(lái),顯示產(chǎn)品將繼續(xù)朝著更微小間距發(fā)展。
巨量轉(zhuǎn)移—微間距LED的門(mén)檻
為什么我們說(shuō)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是微間距LED的門(mén)檻,隨著LED顯示屏逐漸向高清顯示方向發(fā)展,Mini/Micro LED憑借其優(yōu)越的高清顯示效果,逐漸成為未來(lái)LED顯示行業(yè)的大趨勢(shì)。
以一個(gè)4K屏幕為例,需要轉(zhuǎn)移的微米級(jí)芯片數(shù)量高達(dá)2400多萬(wàn)顆(以3840 x 2160 x RGB三色計(jì)算),以傳統(tǒng)芯片轉(zhuǎn)移方式,設(shè)備對(duì)單顆芯片的尺寸要求存在一定的物理極限,芯片太小,無(wú)法轉(zhuǎn)移,難以滿足未來(lái)Micro LED微型芯片的需求,且機(jī)械臂在單顆芯片轉(zhuǎn)移的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中也存在一定的時(shí)間極限,轉(zhuǎn)移效率難以進(jìn)一步提高,這意味著傳統(tǒng)封裝及傳統(tǒng)芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)已逐漸面臨天花板。
因此,如何通過(guò)高精度的設(shè)備把巨量的微米級(jí)LED芯片正確且高效地移動(dòng)到目標(biāo)基板及PCB板上,成為了當(dāng)前值得Mini/Micro LED廠商研究的課題之一,巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
當(dāng)前,巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)分為以下幾大流派,各有千秋。
1、 電磁力吸附轉(zhuǎn)移技術(shù)
電磁力吸附轉(zhuǎn)移技術(shù)是利用線圈電感產(chǎn)生電磁力的方式,將Micro-LED吸附及放下,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移。
2、 靜電吸附轉(zhuǎn)移技術(shù)
靜電吸附轉(zhuǎn)移技術(shù)原理主要是利用靜電力來(lái)控制內(nèi)外電極電壓差,實(shí)現(xiàn)對(duì) Micro-LED的吸附和轉(zhuǎn)移。
3、 流體裝配轉(zhuǎn)移技術(shù)
流體裝配轉(zhuǎn)移技術(shù)將芯片分裝在流體內(nèi),通過(guò)控制流體的流動(dòng)以及臨時(shí)襯底上靜電作用力的方式,實(shí)現(xiàn) Micro- LED 的分散和排列,然后將 Micro-LED 芯片轉(zhuǎn)印到封裝襯底上
4、 彈性印模轉(zhuǎn)移技術(shù)
彈性印模轉(zhuǎn)移技術(shù)是利用聚二甲基硅氧烷材料作為轉(zhuǎn)移膜材料,要讓制備好的LED 器件能順利地被彈性體材料吸附并脫離原基底,器件的斷裂鏈發(fā)生斷裂,所有的器件則按照原來(lái)的陣列排布,被轉(zhuǎn)移到彈性體上面。
5、 激光剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)
激光剝離(LLO)轉(zhuǎn)移技術(shù)直接將尚未剝離的LED芯片襯底轉(zhuǎn)移放置于背板上。使用紫外激光器在藍(lán)寶石晶圓的生長(zhǎng)界面處照射,根據(jù)材料間不同的吸收系數(shù),引起界面的熱膨脹,界面處的GaN緩沖層分解成Ga和N2,實(shí)現(xiàn)芯片的分離和轉(zhuǎn)移,做到平行轉(zhuǎn)移,實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的光學(xué)陣列。
6、 滾軸轉(zhuǎn)印轉(zhuǎn)移技術(shù)
滾軸轉(zhuǎn)印轉(zhuǎn)移技術(shù)主要是利用帶有計(jì)算機(jī)接口的滾輪系統(tǒng),進(jìn)行滾軸對(duì)滾軸方式,通過(guò)反饋模塊可以準(zhǔn)確控制接觸Micro LED,反饋模塊包含兩個(gè)負(fù)載傳感器和兩個(gè)z軸執(zhí)行器。此外,滾輪系統(tǒng)通過(guò)兩個(gè)安裝的顯微鏡保持準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn),終將Micro LED 轉(zhuǎn)印至接收襯底上,實(shí)現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移。
Voury卓華深耕微間距LED底層顯示技術(shù),采用激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),并已實(shí)現(xiàn)全線自動(dòng)化。并以逐步推出了P0.6、P0.7產(chǎn)品序列,未來(lái),Voury卓華也將持續(xù)加大研發(fā)投入,強(qiáng)化技術(shù)革新,繼續(xù)扮演Mini/Micro LED邁向商用化階段的關(guān)鍵角色,助力微間距LED發(fā)展提速。
Voury卓華P0.7COB顯示屏,4K顯示,量產(chǎn)
以下是Voury卓華近期COB產(chǎn)品案例