德州儀器用2000萬小時(shí)給出使用氮化鎵（GaN）的理由
更新：2018-11-26 17:42:16 稿件：德州儀器 調(diào)整大小:【
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在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。 我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當(dāng)然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量。我們已經(jīng)將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對(duì)此感到滿意。在這個(gè)探討過程中，我們盤點(diǎn)了一系列在高壓環(huán)境中失敗的設(shè)備。 在那個(gè)雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓?fù)�，以尋求獲得更高的效率和密度，當(dāng)然也要找到改進(jìn)健全性的途徑。一位高級(jí)研究員幫助總結(jié)了我們面前的挑戰(zhàn)：“我們能實(shí)現(xiàn)所有這些設(shè)想。但首先，請(qǐng)給我完美的電源開關(guān)。”這句話里蘊(yùn)含著的半是沮喪，半是希望。 
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