三安光電6月16日晚間發(fā)布公告稱，公司擬加碼160億元在長沙投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項目。近年來，三安光電在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，長沙項目也是三安光電在泉州三安之后又一個聚焦化合物半導(dǎo)體的項目。

160億長沙投資

三安光電稱，公司決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

根據(jù)進(jìn)度，三安光電表示，公司在用地各項手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設(shè)并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內(nèi)實現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

三安光電與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會于6月15日簽署《項目投資建設(shè)合同》。具體開發(fā)建設(shè)產(chǎn)品內(nèi)容方面，三安光電表示，主要研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、Si CMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET，不過最終以甲方認(rèn)可的乙方項目實施主體可研報告為準(zhǔn)。

來源：《行家說CEO／CMO季度內(nèi)參Q4（2019）》

對于本次項目建設(shè)，三安光電稱，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。

連續(xù)加碼化合物半導(dǎo)體

三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。三安光電起家于LED，但很早就在著手布局集成電路領(lǐng)域。

2017年底時，三安光電曾宣布大手筆投資333億元建設(shè)“泉州芯谷”南安園區(qū)·三安高端半導(dǎo)體項目。主要包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目，高端砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目，大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目的光芒，用于擴(kuò)大高端化合物半導(dǎo)體產(chǎn)能。

根據(jù)當(dāng)時的項目預(yù)計，三安光電稱全部項目5年內(nèi)實現(xiàn)投產(chǎn)，7年內(nèi)全部項目實現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。業(yè)內(nèi)預(yù)計，333億元投資達(dá)產(chǎn)后年營收約270億元，是當(dāng)前三安光電營收的3倍。泉州南安項目也被稱為“再造一個三安光電”。根據(jù)今年的消息，泉州三安半導(dǎo)體項目于去年年底已開始投產(chǎn)，春節(jié)期間沒有停工，在前期做好疫情防控的同時，已經(jīng)逐漸推進(jìn)項目建設(shè)和生產(chǎn)，產(chǎn)能將逐步恢復(fù)至計劃水平。

三安光電曾在2019年年報中透露，三安集成業(yè)務(wù)與同期相比呈現(xiàn)積極變化，已取得國內(nèi)重要客戶的合格供應(yīng)商認(rèn)證, 各個板塊已全面開展合作,全年實現(xiàn)銷售收入 2.41 億元,同比增長 40.67%。砷化鎵射頻出貨客戶累計超過90家。氮化鎵射頻產(chǎn)品重要客戶已實現(xiàn)批量生產(chǎn),產(chǎn)能正逐步爬坡碳化硅功率二極管及MOSFET及硅基氮化鎵功率器件，客戶累計超過60家，27種產(chǎn)品已進(jìn)入批量量產(chǎn)階段光通訊在保持及擴(kuò)大現(xiàn)有中低速 PD/MPD 產(chǎn)品的市場領(lǐng)先份額外，在附加值高的高端產(chǎn)品如 10G APD/25G PD、以及發(fā)射端 10G/25G VCSEL 和 10G DFB 均已在行業(yè)重要客戶處實現(xiàn)驗證通過,進(jìn)入實質(zhì)性批量試產(chǎn)階段濾波器產(chǎn)品開發(fā)性能優(yōu)越,生產(chǎn)線持續(xù)擴(kuò)充及備貨中,預(yù)計 2020 年會實現(xiàn)銷售。

另外，三安光電還是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(“大基金”)持股公司，一季報顯示大基金持有公司股票約4.61億股，約占公司總股本的11.30%。同時三安光電還與華芯投資管理有限責(zé)任公司（大基金的唯一管理機(jī)構(gòu)）、國家開發(fā)銀行、福建三安集團(tuán)有限公司約定四方建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，大力支持公司發(fā)展以Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體為重點的集成電路業(yè)務(wù)。不過最近大基金發(fā)布減持公告，擬在未來6個月內(nèi)減持不超過公司股份總數(shù)2%的股票。

行家說產(chǎn)業(yè)研究中心認(rèn)為：第三代半導(dǎo)體（以SiC和GaN為代表）近幾年來受到半導(dǎo)體行業(yè)極大關(guān)注，隨著5G、汽車等新市場出現(xiàn)，SiC/GaN不可替代的優(yōu)勢使得相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用加速。SiC具有“一材兩用”的特質(zhì)：既可以做成SiC器件，也可以作為GaN器件的襯底材料，碳化硅和氮化鎵有超過95%的晶格適配度，性能指標(biāo)遠(yuǎn)超其他襯底如藍(lán)寶石、硅、砷化鎵等。SiC器件正在廣泛地被應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域中，典型市場包括軌交、功率因數(shù)校正電源（PFC）、風(fēng)電（wind）、光伏（PV）、新能源汽車（EV/HEV）、充電樁、不間斷電源（UPS）等。

三安此次在長沙布局SiC顯示了其做大做強(qiáng)第三代半導(dǎo)體的決心，而160億的投資額目前是遠(yuǎn)超SiC器件產(chǎn)值的，可見，三安對于SiC市場的預(yù)期比很多調(diào)研機(jī)構(gòu)都更為樂觀。