賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應方面進一步加強合作

賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。

ROHM Co., Ltd. 董事 常務執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左）

賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen （右）

隨著全球電動化技術的快速發(fā)展，對功率模塊的需求已經(jīng)達到了前所未有的程度，相關產(chǎn)品的市場規(guī)模急劇擴大，幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。在這樣的背景下，羅姆開發(fā)出適用于工業(yè)設備的1200V IGBT “RGA系列”產(chǎn)品，成為業(yè)內先進的IGBT解決方案，從而進一步擴大了對賽米控丹佛斯的裸芯片供應范圍。

賽米控丹佛斯計劃推出額定電流等級10A～150A的功率模塊“MiniSKiiP®”，這款功率模塊中配備了羅姆的1200V IGBT “RGA系列”芯片。MiniSKiiP®功率模塊采用無銅底板和彈簧連接這兩大特色技術，并融合了非常適用于電機驅動市場的RGA系列的優(yōu)勢，從而成為低功率領域的理想解決方案。另外，MiniSKiiP®系列始終采用最新一代的IGBT，而且還通過統(tǒng)一封裝高度，確保產(chǎn)品安裝的便利性，因而在全球電機驅動市場得以廣泛應用。

不僅如此，針對PCB連接采用Press-Fit引腳和焊接方式的應用，賽米控丹佛斯還推出了采用行業(yè)標準封裝的“SEMITOP® E”系列產(chǎn)品，由于其結構與現(xiàn)有的IGBT模塊引腳兼容，因此也可使用羅姆的1200V IGBT“RGA系列”。此外，“SEMITOP®”系列中預計還會新增將三相逆變電路集成于一個模塊的六單元結構產(chǎn)品，以及整流器-逆變器-制動器復合電路結構產(chǎn)品。

羅姆集團 董事 常務執(zhí)行官 CFO 伊野和英 表示：

“此次，賽米控丹佛斯采用的RGA系列產(chǎn)品，其最高結溫（Tj，max）高達175℃，是羅姆新設計的弱穿通結構的溝槽柵IGBT。該系列產(chǎn)品在導通、開關和熱特性方面，均針對最新的中低功率工業(yè)驅動應用進行了優(yōu)化。另外，在電機驅動應用中，當產(chǎn)品承受過負載時，與業(yè)內現(xiàn)有的IGBT相比，其過電流承受能力具有顯著優(yōu)勢。該系列產(chǎn)品還與業(yè)內的常規(guī)產(chǎn)品兼容，替換安裝非常容易。”

賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen 表示：

“近年來，電力電子行業(yè)已經(jīng)逐漸解決了供應問題，并且在不斷吸取之前的相關教訓。顯而易見，半導體芯片和模塊制造的多元化是實現(xiàn)功率模塊真正意義上的‘多源供應’的前提�！�

賽米控丹佛斯 常務董事 工業(yè)應用領域分管副總裁 Peter Sontheimer 表示：

“在1200V IGBT產(chǎn)品上，我們找到了值得信賴的制造商推出的IGBT產(chǎn)品。羅姆的1200V IGBT RGA系列產(chǎn)品可以替換業(yè)內現(xiàn)有的IGBT，只需對柵極電阻稍作調整，就能實現(xiàn)高度類似的目標工作�！�