MLED（Mini/Micro LED）作為下一代顯示技術，吸引著國內外顯示企業(yè)積極布局。在巨大的市場潛力驅動下，加速推進MLED顯示技術升級、加快其商業(yè)化進程成為產業(yè)熱望。

中國科學院院士歐陽鐘燦近日在出席某企業(yè)投產儀式時指出，我國半導體顯示有強大的產業(yè)基礎和完善的LED產業(yè)鏈，憑借領先的TFT設計、制造技術，成熟的半導體芯片和先進的MLED工藝，以及有力的政策支持，MLED技術將在我國率先實現產業(yè)化。

MLED技術優(yōu)勢深得人心

隨著5G、超高清、人工智能、AR/VR等新技術進一步普及，顯示作為人機交互和接收信息的重要窗口之一，應用方向更加多元化。

面對行業(yè)融合創(chuàng)新對顯示技術提出的新要求，面板企業(yè)需加速開發(fā)性能更優(yōu)的下一代新型顯示技術，實現滿足超高分辨率、超大尺寸、功能集成、柔性或透明等要求的創(chuàng)新應用。

MLED不僅在亮度、對比度、響應速度、功耗、壽命和柔性等方面表現優(yōu)異，而且通過改變發(fā)光芯片尺寸及像素間的距離，利用不同加工精度的工藝，可以實現從微顯示到超大尺寸范圍顯示的應用，能夠為顯示終端市場提供更多差異化解決方案，創(chuàng)造新的應用場景，滿足不同顯示產品和應用場景的多樣性需求。

“這些優(yōu)勢讓MLED技術深得人心，并逐漸成為最受關注的下一代新型顯示技術，吸引著國內外顯示企業(yè)積極布局。”歐陽鐘燦指出。

如今，國內外已經有多款MLED全球首發(fā)產品和樣機問世，涵蓋AR/VR、手表、車載/NB、TV/商顯等諸多方面，展現出MLED技術的優(yōu)異性及應用潛力。

隨著MLED在顯示領域不斷拓展新應用，高端大尺寸TV、可穿戴顯示、AR/VR、車載顯示等將成為快速增長的領域，為MLED顯示帶來新的發(fā)展機遇。

Million Insights預計，2025年全球Mini LED市場規(guī)模將達59億美元，2019—2025年復合增長率達86.60%；在Micro LED領域，根據IHS預測，2026年全球Micro LED顯示器出貨量將達1550萬臺，年復合增長率達99.00%。

在巨大的市場潛力驅動下，加速推進MLED顯示技術升級，加快其商業(yè)化進程成為產業(yè)熱望。

我國MLED產業(yè)基礎強大

目前，我國LED顯示產業(yè)已位于全球第一梯隊，形成較為完善的LED產業(yè)鏈和產業(yè)集群，涵蓋終端應用、面板制造、封裝、芯片、核心材料及設備等領域。

2020年，中國大陸LED產業(yè)鏈產值達到7013億元，其中LED顯示應用產值約1963億元。

同時，中國也是全球最大的LED芯片研發(fā)和生產基地，中國企業(yè)具備強大的LED芯片制造能力和技術創(chuàng)新能力，而LED芯片又是MLED技術的關鍵組成部分。

歐陽鐘燦認為，憑借領先的TFT設計、制造技術，成熟的半導體芯片和先進的MLED工藝，MLED技術將在我國率先實現產業(yè)化。

此外，我國對于MLED顯示產業(yè)的政策支持力度很大。

從產業(yè)頂層設計到規(guī)范布局、再到結構優(yōu)化等諸多方面，我國都有相關政策推出，加強對MLED顯示產業(yè)的引導和推動，從而吸引更多上游材料、器件領域和下游模組企業(yè)加入，持續(xù)壯大產業(yè)整體規(guī)模，產業(yè)集聚優(yōu)勢初顯。

歐陽鐘燦指出，隨著產業(yè)鏈頭部企業(yè)陸續(xù)投產，將加速推動相關產業(yè)快速成長。在產業(yè)鏈協同效應的作用下，中國企業(yè)可以快速實現MLED成本的下降，大步邁向消費應用市場。

MLED未來可能向Nano LED發(fā)展

雖然MLED直顯技術優(yōu)勢突出，但現階段還有許多技術瓶頸有待突破。歐陽鐘燦介紹，如外延生長均勻性不好、LED芯片效率低、巨量轉移良率低且用時長等，其中巨量轉移技術是關鍵一環(huán)。

所謂“巨量轉移”就是在完成微米級LED晶粒制作后，把數百萬顆甚至數千萬顆超微LED晶粒正確且有效率地移動到電路基板上的過程。以4K電視為例，4K通常指4096×2160分辨率，假設每像素點為3個R/G/B晶粒，制作一臺4K電視需要轉移的晶粒高達2600萬顆。

目前巨量轉移技術包括彈性印章微轉移技術、激光轉移技術，以及流體轉移工藝等，但這些技術還不夠成熟，良率和轉移效率無法達到MLED量產的水平，這也進一步推高了制造成本，導致目前的MLED產品售價高昂。尤其是彈性印章微轉移技術，要通過大量重復的印章動作，將紅綠藍三色印上去，效率很低。

對此，歐陽鐘燦指出，未來，MLED直顯或許可以考慮在集成電路中直接將紅光、藍光、綠光按照設計制造出來�！癕LED直顯應該走芯片的方式，芯片從業(yè)者在未來的設計中應該考慮到MLED直顯。”

此外， MLED在材料、設備、芯片、驅動IC、背板設計和封裝等各環(huán)節(jié)均面臨新的技術難題。

“為了豐富顯示應用場景，同時實現更細膩的視覺效果，LED顯示中的芯片及封裝尺寸呈現微縮化趨勢，MLED顯示技術未來可能向Nano LED（QNED）顯示技術發(fā)展�！睔W陽鐘燦強調。

值得一提的是，以封裝工藝為要點，在原有的SMD和COB封裝技術的基礎上，國內企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)出COG MLED封裝工藝。COG MLED背光技術具有恒流驅動、亮度高、對比度高、不閃爍和拼接平整度高的優(yōu)點，有望成為未來顯示產業(yè)發(fā)展的主流方向。